耳機接口ESD保護元件選型

Resistor不單獨用于芯片的ESD保護，它往往用于輔助的ESD保護，如芯片Input級保護和第二級保護之間的限流電阻。當ESD電流過大，級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時，第二級ESD器件的導通將使其與電阻分壓，從而進一步降低進入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時，由于NMOS的漏一柵電容，會使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。ESD靜電保護元件可提供多種封裝形式。耳機接口ESD保護元件選型

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設(shè)備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀90年代初Wilson才提出ESD過程中產(chǎn)生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關(guān)于ESD輻射場的明確規(guī)定，對ESD模擬器也規(guī)定了放電電流的典型波形和4個關(guān)鍵點參數(shù)。通常被測設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結(jié)果并不相同。江蘇耳機接口ESD保護元件原理ESD靜電保護元件具有單向和雙向之分。

ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設(shè)計的難度增火。ESD脈沖具有持續(xù)時間短(ns~數(shù)百ns級)，能量較低(微焦耳級)的特征，頻譜分布在數(shù)百KHz到數(shù)GHz的范圍，其能量主要集中在數(shù)MHz到數(shù)百MHz的范圍內(nèi)，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護電路要求比一般的電浪涌防護電路具有更快的響應(yīng)速度和良好的高頻性能。

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖?！る娏?gt;1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的常見原因是兩種材料的接觸和分離。經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。硅基ESD靜電保護元件具有較低的鉗位電壓。

人體放電模型（HBM）是靜電放電（ESD）模型的一種，是分析電子元件對靜電放電耐受性特性時，常使用的模型。人體放電模型是模擬帶有靜電的人碰到電子元件時，在幾百納秒（ns）的時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流。對2千伏的ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33安培。1.HBM：HumanBodyModel，人體模型：該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件HBM模型的ESD等級。ESD靜電保護元件一般并聯(lián)在電流中使用。耳機接口ESD保護元件選型

多層壓敏電阻作為ESD靜電保護元件，具有較高的成本優(yōu)勢。耳機接口ESD保護元件選型

降低防護器件結(jié)電容的設(shè)計方法當防護器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時，將對高頻信號產(chǎn)生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設(shè)計，降低結(jié)電容對信號質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個相同防護二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結(jié)電容太大，可以對防護器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。耳機接口ESD保護元件選型

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